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          陜西東吉金屬科技股份有限公司
          鎢圓靶

          鎢圓靶(圖1)


           鎢靶材

          在半導體集成電路中,薄膜科學是開發制造半導體器件非常重要的科研領域。靶材是這種表面鍍膜技術中的關鍵材料,靶材性能的優劣直接影響薄膜性能的好壞,進而影響到整個芯片制造的性能、成本、收益和綜合競爭力

          鎢靶材經常作為物理氣相沉積用濺射靶材,在半導體域用于制作柵電、連接布線、擴散阻擋層等。鎢靶材主要應用于航天、稀土冶煉、電光源、化工設備、醫療器械、冶金機械、熔煉設備、石油、等域。鎢靶材是氧化鎢薄膜在半導體器件實現其功能過渡的重要基體。


          鎢靶材物理性質:

          元素符號: W

          原子序數: 74

          密度: 19.35 g/cm3

          熔點: 3410±20℃

          沸點: 5927℃

          升華熱: 847.8 kJ/mol(25℃)

          蒸發熱: 823.85±20.9kJ/mol(沸點)

          電阻溫度系數: 0.00482 I/℃

          電子逸出功: 4.55 eV

          純度:鎢99.95%以上

          密度:19.35g/cm3

          表面狀態:磨光


          鎢靶類型:

          精車表面鎢靶材

          離子束濺射用鎢靶材

          旋轉鎢靶材

          平面鎢靶材

          直流濺射用鎢靶材

          多弧面鎢靶材

          非平衡磁控濺射用鎢靶材

          反應磁控濺射用鎢靶材


          技術優勢: 高純度,高致密度,平整度,晶粒均勻等軸,一致性高、

          產品規格: 根據客戶需求進行定制


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